Page 23 - focusUnimore_aprile2024
P. 23
a fornire prototipi di transistor ultra efficienti, cazione di transistor cosiddetti Dirac FET (DFET).
dal punto di vista energetico per i mercati Questi dispositivi vogliono sfruttare la distribuzio-
dei circuiti integrati digitali e analogici ad ne dell’energia degli elettroni caratteristica dei
alta frequenza, da impiegare nell’elettronica ad Semimetalli di Dirac (molto diversa da quella del
alte prestazioni ma basso consumo dei dispositivi comune silicio) per abbassare il limite di tensione
portatili e per ridurre il costo energetico molto ele- di alimentazione e superare l’ostacolo. L’obiettivo
vato dei grandi data center. principale è sviluppare una tecnologia di transi-
Il progetto, che contribuisce agli obiettivi fissati stor di Dirac miniaturizzabile, sfruttando un’ampia
dalle recenti leggi europee e nazionali sui chip, è gamma di materiali di Dirac bi- e tri-dimensionali
finanziato dalla Com- (es. grafene e CoSi) e
missione Europea per € realizzare alcuni dimo-
3.884.248,50 e da SERI stratori. Gli ambiziosi
per €1.094.937. A lungo obiettivi prestazionali
termine esso vuole con- includono di riuscire a
tribuire ai piani europei variare la corrente dei
di riduzione dei consumi transistori con circa la
energetici globali. Infat- metà della variazione
ti, la domanda globale di di tensione impiegata
energia per le tecnologie attualmente e di com-
dell’informazione e della mutare lo stato del
comunicazione potreb- transistor con meno di
be raggiungere il 20% 4 attojoule di energia.
dell’energia totale prima I dimostratori chiave si
della fine del decennio. Le baseranno su grafene
innovazioni nella tecnologia dei transistor potran- integrato con MoS2 e WSe2, nonché nuovi dispo-
no compensare parzialmente questo aumento e sitivi con semimetalli di Dirac tri-dimensionali. La
migliorare la sostenibilità fornendo componenti metodologia del progetto includerà lo sviluppo di
elettronici a più basso consumo senza pre- moduli di processo del dispositivo e dei numerosi
giudicare le prestazioni. materiali. La modellazione al calcolatore con nuovi
strumenti di simulazione svolgerà un ruolo chiave
Tuttavia, l’efficienza energetica dell’attuale tec- per valutare le diverse opzioni e fornire una road
nologia del silicio per la fabbricazione di circuiti map per la tecnologia”.
integrati, è condizionata da fattori fondamentali
quali la distribuzione degli elettroni in energia, che La sensibilizzazione degli studenti alle affasci-
pone un limite inferiore alla tensione di alimenta- nanti prospettive dell’elettronica di avanguardia
zione e quindi al consumo energetico. Per soste- e dei suoi contributi alla sostenibilità, oltre che la
nere la miniaturizzazione ed il miglioramento delle formazione di giovani ricercatori e la costruzione
prestazioni, sono necessarie tecnologie a transi- di una cooperazione internazionale promosse da
stor in grado di superare questo limite. questo progetto, miglioreranno la competitività
dell’Europa nel settore dell’elettronica e dei semi-
“AttoSwitch - spiega il prof. Luca Selmi - svi- conduttori.
lupperà e studierà una nuova tecnologia di fabbri-
23