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Illustrazione della cross-section di un generico transistor ferroelettrico basato su HfO2. (b) Tipica caratteri-
stica di trasferimento del dispositivo, avente due differenti percorsi determinati dal valore di polarizzazione
immagazzinata nel ferroelettrico. MW è la finestra di memoria. (c) Illustrazione delle caratteristiche di
affidabilità di una memoria a semiconduttore, descritte tipicamente dal mantenimento nel tempo del dato
(retention) e dalla resistenza massima del dispositivo a sequenze di cicli di scrittura (endurance).

sinapsi biologiche. Questi dispositivi possono L’attività di ricerca, che ha portato alla pubbli-
essere impiegati in sistemi elettronici ispirati al cazione di contributi su riviste scientifiche interna-

funzionamento del cervello umano per applicazio- zionali di prestigio, è stata portata avanti dal Dott.
ni di intelligenza artificiale. Nicolò Zagni, durante il dottorato di ricerca nel
2018 e nel 2019 a Purdue University, poi come
Date le enormi potenzialità della tecnologia, il
gruppo di ricerca di elettronica Devices, Cir- assegnista di ricerca presso il DIEF.
cuits & Systems del Dip. di Ingegneria Enzo “Il lavoro - afferma il Prof. Paolo Pavan - con-
Ferrari - DIEF, guidato dal Prof. Paolo Pavan e solida e conferma la collaborazione di ricerca che
dal Prof. Francesco Maria Puglisi, si è dedicato si è instaurata con il collega Prof. Alam della Pur-
negli ultimi anni allo studio dei dispositivi ferro- due University, che conoscevamo per la sua fama
elettrici, in particolare alla ricerca dell’affidabilità e per la qualità dei suoi lavori scientifici. Grazie
dei transistor ferroelettrici, denominati FeFET. alla disponibilità e alle qualità del Dott. Nicolò Za-

gni, attualmente assegnista di ricerca nel nostro
Il gruppo di studiosi ha pubblicato un articolo di
revisione dal titolo “Reliability of HfO2-Based Fer- Dipartimento di Ingegneria Enzo Ferrari, e sfrut-
roelectric FETs: A Critical Review of Current and tando il Bando Unimore per il finanziamento di
Future Challenges” sulla prestigiosa rivista Proce- azioni di mobilità, - siamo riusciti a dare inizio ad
edings of the IEEE che approfondisce gli sviluppi una collaborazione internazionale che ha già por-
tecnologici nel campo dell’ingegneria elettronica tato alla pubblicazione di diversi articoli scientifici
e informatica. e ora anche a questo articolo di revisione critica
che speriamo diventi un riferimento importante
L’articolo di revisione, che potrebbe diventare per la comunità scientifica sui ferroelettrici. Al mo-
un punto di riferimento per la comunità scienti- mento una dottoranda del nostro gruppo si trova
fica sui ferroelettrici, si inserisce nel contesto di all’estero a lavorare proprio su questi temi in uno
una proficua collaborazione di ricerca instaura- dei centri più importanti nel settore, dimostrando

tasi a partire dal 2018 con il Prof. Muhammad come l’argomento sta diventando via via più cen-
Ashraful Alam della Purdue University, USA, un trale nella nostra ricerca”.
esperto di dispositivi elettronici e Fellow dell’IEEE
(Institute of Electrical and Electronics Engineers). “L’articolo di revisione recentemente pubblicato

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