Page 20 - focusUnimore_marzo2023

- spiega il Prof. Francesco Maria Puglisi - con- dei transistor ha raggiunto infine i suoi limiti fi-
ferma il nostro gruppo di ricerca come eccellenza sici (determinati dall’effetto tunneling e dal sur-
nel campo dello studio dei dispositivi ferroelettrici riscaldamento) [1]. Abbiamo bisogno di innova-
a livello internazionale. Infatti, in sinergia con le zioni profonde a livello di materiale, dispositivo,

ricerche portate avanti dal dottor Zagni, in collabo- circuito e di sistema per mantenere la legge di
razione con la Purde University, negli ultimi quat- Moore valida nel prossimo futuro. A questo riguar-
tro anni il nostro gruppo di ricerca ha avuto modo do, - commenta il Prof. Muhammad Ashraful
di partecipare da protagonista ad un importante Alam della Purdue University, USA, - i transistor
progetto europeo sul tema finanziato dalla Com- con ferroelettrici nello stack di gate (FeFET) pro-
missione Europea denominato “BeFerroSynaptic”, mettono nuove funzionalità logiche e di memoria,
in collaborazione con altri dieci partner di assoluto operazione a basso consumo, fondamentali per lo

prestigio a livello europeo. Con il progetto “BeFer- sviluppo futuro. Tuttavia, la loro affidabilità è an-
roSynaptic” – prosegue il Prof. Puglisi - si è riusciti cora non ben compresa e quantificata. Abbiamo
a sviluppare una piattaforma tecnologica basata scritto questo articolo di revisione approfondito
su dispositivi sinaptici ferroelettrici all’interno di rivolgendoci sia ai nuovi ingegneri e ricercatori nel
un’architettura ‘neuro-ispirata’ in cui le funzio- settore sia a quelli più esperti per mettere in rilie-
ni di calcolo e memoria vengono svolte insieme vo i meccanismi limitanti l’affidabilità dei FeFET,
da un’unica unità sinaptica, aprendo la strada ad nonché le opportunità per risolvere le sfide a par-
un’elettronica di nuova generazione necessaria tire da diversi approcci (dal materiale al sistema).
per la prossima rivoluzione dell’intelligenza artifi- Confidiamo che l’articolo si ponga come riferi-

ciale pervasiva e al servizio dell’uomo.” mento essenziale per favorire lo sviluppo di tecno-

Il futuro dell’elettronica di nuova generazione ha logie FeFET che possano funzionare con migliori
radici lontane. prestazioni e maggiore affidabilità nel futuro”.
I primi dispositivi elettronici integranti materia-

li ferroelettrici furono concepiti e realizzati negli Riferimenti Bibliografici
anni ’60 del Novecento. Tuttavia, solo grazie alla Lundstrom, Mark S., and Muhammad A. Alam.
recente scoperta nel 2007 della proprietà “Moore’s law: The journey ahead.” Science (2022).
ferroelettriche nell’ossido di afnio (HfO2) si https://www.science.org/doi/abs/10.1126/
è aperta la possibilità di integrare questi di- science.ade2191
spositivi su vasta scala. L’importanza dell’HfO2
risiede nel fatto che è un materiale utilizzato per

la fabbricazione di transistor della famiglia CMOS Approfondimenti
(Complementary Metal Oxide Semiconductor) alla • Sito web gruppo di elettronica:
base della quasi totalità dei device commerciali. https://www.e-lab.unimore.it/
Perciò l’HfO2 può essere integrato in modo rela-
tivamente semplice come materiale ferroelettrico • Articolo Proceedings of the IEEE:
per le future generazioni di transistor ultra scalati, https://ieeexplore.ieee.org/docu-
fornendo vantaggi in termini di prestazioni ed effi- ment/10034743
cienza energetica. • Sito web progetto BeFerroSynaptic:

“Dopo un’eccezionale e ininterrotta corsa di http://www.beferrosynaptic.eu/
50 anni circa, il tradizionale ridimensionamento

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